上海朝悉儀器儀表有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：P型標(biāo)準(zhǔn)同軸高純鍺探測(cè)器特性：?適合于能量在 40 keV 到 10MeV 以上的譜學(xué)應(yīng)用?高分辨率 - 好峰形?很好的時(shí)間分辨率?高能量速率能力?二...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：更新時(shí)間：2023-01-21 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：N型同軸高純鍺探測(cè)器特性：?適合于能量在 3 keV 到10MeV 的譜學(xué)應(yīng)用?超薄離子注入觸點(diǎn)?抗射線破壞?很好的時(shí)間分辨率?高能量速率能力?二極管...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：寬能鍺探測(cè)器 （BEGe ）特性/優(yōu)點(diǎn)：→ 能量范圍從3 keV到3 MeV，組合低能和同軸HPGe探測(cè)器的譜學(xué)優(yōu)點(diǎn)→ 探測(cè)效率和能量分辨率在3 ke...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：延展型高純鍺探測(cè)器特性：→ 適合于能量在3 keV到10MeV以上的譜學(xué)應(yīng)用→ 高分辨率－很好的峰形→ 很好的時(shí)間分辨率
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：井型高純鍺探測(cè)器特性：→ 不通的井提供近似4π計(jì)數(shù)幾何，以實(shí)現(xiàn)高效率→ 可提供大尺寸井，允許為你的應(yīng)用選擇合適的井探測(cè)器→ 井內(nèi)部的薄、離子注入觸點(diǎn)允...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：小型陽(yáng)極鍺探測(cè)器（SAGe Well）特性/ 優(yōu)點(diǎn)：→盲井提供近似于4p計(jì)數(shù)幾何、產(chǎn)生很高的效率。→提供超過(guò)傳統(tǒng)井型探測(cè)器的超級(jí)低能和高能分辨率。→允...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：低能Ge鍺探測(cè)器特性：→ 薄前面和側(cè)面接觸，允許支持從3 keV以上的譜學(xué)→ 廣泛范圍的尺寸允許為你的應(yīng)用選合適的探測(cè)器→ 低噪聲，在低能和中能處產(chǎn)生...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：超低能鍺探測(cè)器特性和好處：? 適合于 300 eV 到300keV 譜學(xué)應(yīng)用? 效率比 Si（Li）和SDD 高? 直到很高的技術(shù)速率都提供很好的峰形...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：更新時(shí)間：2023-01-21 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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