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N型同軸高純鍺探測(cè)器

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更新時(shí)間：2023-01-21 12:12:13瀏覽次數(shù)：246次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述：N型同軸高純鍺探測(cè)器特性：?適合于能量在 3 keV 到10MeV 的譜學(xué)應(yīng)用?超薄離子注入觸點(diǎn)?抗射線破壞?很好的時(shí)間分辨率?高能量速率能力?二極管 FET 保護(hù)?回溫/HV 切斷?高速率指示

詳細(xì)介紹

反極性同軸鍺探測(cè)器（REGe ）

描述：

反極性探測(cè)器 (REGe) 在幾何上類似于其它同軸鍺探測(cè)器，只有一個(gè)重要的差別：反極性探測(cè)器的電極和通常的同軸探測(cè)器相反，即 p 型電極（離子注入硼）在外面，n 型觸點(diǎn)（擴(kuò)散的鋰）在內(nèi)部。這樣安排電極有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：窗口厚度和抗射線破壞。

離子注入的外觸點(diǎn)比鋰擴(kuò)散的內(nèi)觸點(diǎn)薄得多（0.3 微米），
再加上復(fù)合炭低溫恒溫室窗口也較薄，使響應(yīng)范圍向下擴(kuò)展到 3 keV、探測(cè)器的動(dòng)態(tài)范圍達(dá)到 2000:1。這一動(dòng)態(tài)范圍超過大多數(shù)分析系統(tǒng)提供的 100:1，因此其探測(cè)器不太可能立即覆蓋 5 keV 到 10 MeV 范圍。也可以提供鈹窗和鋁窗。

反極性探測(cè)器的抗射線破壞的屬性來自如下原因。人們發(fā)現(xiàn)射線破壞主要來自中子或帶電粒子在鍺中引起俘獲空洞。反極性探測(cè)器與通常的同軸探測(cè)器不同，空洞是由反極性探測(cè)器外電極收集。由于
大部分探測(cè)器活性體積落在外觸點(diǎn)給定距離?R
內(nèi)，比內(nèi)觸點(diǎn)多得多 (體積≈R2)，因此空洞被吸引到外觸點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的平均距離比被吸引到內(nèi)觸點(diǎn)小。由
于運(yùn)動(dòng)距離短，它們被射線破壞材料俘獲的可能性就小。當(dāng)然，抗射線破壞能力提高程度還依賴于其他因素，但實(shí)驗(yàn)證據(jù)說明：反極性探測(cè)器抗射線破
壞的能力是通常同軸鍺探測(cè)器的 10 倍。

一般規(guī)格和信息：

反極性同軸鍺探測(cè)器的標(biāo)準(zhǔn)配置包括：

• 垂直細(xì)線條帶的低溫恒溫器，帶 Be 窗口和30 立升杜瓦

• Model 2002C 前置放大器，3 米偏移、高壓禁止、信號(hào)和電源電纜

關(guān)鍵詞：探測(cè)器