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高溫柵偏試驗系統

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號HTGB-C16
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2024/3/21 15:35:31
  • 訪問次數525
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產,公司產品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數測試儀,MOS管動態參數測試儀,IGBT動態參數測試系統,IGBT靜態參數測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風力發電檢修用IGBT測試儀,產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創新,源遠流長;華科智源公司 核心團隊由華中科技大學等國內高校研究所、行業應用專家等技術人才組建,致力于中國功率半導體事業,積極響應國家提出的中國制造2025戰略,投身于半導體測試設備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測試方案供應商,2025中國制造 • 芯片設計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統,SMT智能首件檢測儀,首樣檢測,首板確認
品牌: HUSTEC
名稱: HTGB高溫柵偏試驗系統
型號: GKH-HTGB-C16
HTRB/HTGBJ測試介紹高溫反偏試驗(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質量差的器件就會失效,以此評估產品的可靠性。
高溫柵偏試驗系統 產品信息



產品詳情


★主要技術規格和性能:

產品型號GKH-HTGB-C16

產品名稱高溫柵偏試驗系統

高溫試驗箱PH-201高溫試驗箱一臺,

試驗區域16個 

試驗容量每通道80工位,共16通道。

試驗電源選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗電源。

電源數量:配置4臺/8臺電源。

輸出范圍:0~35V或0~60V。

主要功能① 正常HTGB試驗,通過按鈕可以選擇正柵壓或負柵壓,兩種偏壓工作時只能二選一,不能同時工作。

② 熱阻測量,即測量HTGB工作時的Tj值。

③ 高溫試驗箱內可放置4層板或8層板。具體需根據器件的封裝尺寸定義。當被測量模塊體積過大時,由于體積的限制,被測器件數據需相應減少。

④ 可選配溫度可達300℃的高溫試驗箱。

測控功能① 檢測每個材料的電壓、漏電流值。

② 漏電流超限保護,自動切斷測量回路。

③ 測量電流范圍:1nA~100uA;

④ 電流分辨率:0.5nA;

⑤ 測量精度:±2%±3nA;

防靜電設計① 設備外殼良好接地;

② 預留靜電接地端子(香蕉插頭插孔)方便操作員連接靜電環。

計算機工業級電腦主機、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標。WINDOWS操作界面,友好的人機對話窗口, 強大的圖形編輯能力以及強大的器件庫供用戶選擇,軟件操作簡單易學。更有系統查詢診斷功能, 試驗狀況一目了然,方便用戶隨時查驗。

老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。

電網要求單相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW

外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm

重量約500kg 


HTRB/HTGBJ測試介紹


高溫反偏試驗(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質量差的器件就會失效,以此評估產品的可靠性。


測試溫度:125℃,150℃或175℃。


測試時間:168h,500h,1000h。


測試目的:研究器件在靜態工作模式下,以額定反向直流電壓下或者80%額定反向直流電壓進行工作,以確定偏置條件和溫度隨時間對固態設備的影響。


參考測試標準:JESD22-A108


 


高溫柵偏試驗(High Temperature Gate Bias, HTGB)主要是用于測定柵氧本身及相關界面的可靠性。


測試溫度:150℃或175℃。


測試時間:500h,1000h。


參考測試標準:JESD22-A108


HTBR和HTGB是可靠性測試中非常常見的測試項目。


適用測試器件:功率二極管, SiC肖特基和肖特基二極管,晶閘管,三端雙向可控硅和IGBT。


試驗設備:高溫反偏試驗機


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