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上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列

參考價	￥700000-￥2000000

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌其他品牌
型號
所在地上海市
廠商性質(zhì)代理商
更新時間2023/4/11 11:47:19
訪問次數(shù)401

產(chǎn)品標(biāo)簽:

離子槍線性霍爾離子源離子源 eH Linear KRI 霍爾離子源線性離子源

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公司介紹主營產(chǎn)品

伯東公司成立于1953 年，范圍內(nèi)有一千七百名員工。伯東企業(yè)(上海)有限公司(www.hakuto-vacuum.cn)主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、電子零部件加工、銷售及相關(guān)服務(wù)工作，集團年營業(yè)額約為100億人民幣。伯東公司在國內(nèi)主要城市：北京、蘇州、廣州、深圳、成都及廈門設(shè)有營業(yè)據(jù)點。
上海伯東真空產(chǎn)品事業(yè)部秉承為廣大中國客戶提供進口真空產(chǎn)品、推動中國真空工藝發(fā)展、承擔(dān)企業(yè)社會責(zé)任為經(jīng)營理念，已累計為超過10,000家企業(yè)提供真空服務(wù)，覆蓋工業(yè)、半導(dǎo)體、鍍膜、科研和分析行業(yè)。
上海伯東代理品牌包含：德國Pfeiffer 全系列真空產(chǎn)品、美國 KRI 離子源、美國Brooks Polycold 制冷機，美國HVA 真空閥門，美國 inTEST(Temptronic)高速溫度循環(huán)測試機，離子蝕刻機，真空鍍膜系統(tǒng)及配套真空零配件等。
上海伯東作為真空品牌**代理商，全權(quán)負(fù)責(zé)在中國地區(qū)的銷售和維修服務(wù)，* 使用原廠進口零部件以及國外受訓(xùn)維修工程師；擁有*的拆解，維修，校正能力并提供24小時在線服務(wù)。

展開顯示更多內(nèi)容

德國 Pfeiffer 真空產(chǎn)品, 美國 inTEST 高低溫測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱, 美國 Polycold 冷凍機,美國 HVA 真空閥門

產(chǎn)品簡介在線詢價

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等.

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列產(chǎn)品信息

KRi 射頻離子源 RFICP 系列
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

射頻離子源 RFICP 系列應(yīng)用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子濺射鍍膜
上海伯東美國考夫曼 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸離子束刻蝕機, 作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!

KRI 射頻離子源典型應(yīng)用 IBE 離子蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生