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本科生微電子器件及材料實驗目的
通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養分析問題和解決問題的能力。
本科生微電子器件及材料實驗目錄
實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導體霍爾效應測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢
滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設備簡單易用，專業全威，方便學生動手操作
核心設備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全，平臺化設計，有專人維護支持，與專業測試軟件使用相同架構
以基礎平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數 |
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉移特性曲線 l 跨導gm l 擊穿電壓BVDS |
四探針法測量半導體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值R |
MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 + 高頻） | l CV特性曲線 |
半導體霍爾效應測試實驗 | l 霍爾電壓VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數RH l 載流子濃度n l 霍爾遷移率u |
激光二極管LD的LIV特性測試
| l LIV特性曲線 l 閾值電流Ith l 閾值電流對應電壓值Vth l 拐點Kink l 線性電阻Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓Voc l 短路電流Isc l 功率最大值Pmax l 填充因子FF l 轉換效率η l 串聯電阻Rs l 旁路電阻Rsh |
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
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展會城市：合肥市展會時間：2025-09-20