日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新的SMD封裝的超薄2.IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOL3120。VishaySemiconductors這款器件占位小，高度為2.5mm，zui小間隙和外部爬電距離為8mm。除了尺寸小的特點，器件還具有高隔離電壓，VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V，非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴(yán)重條件下運轉(zhuǎn)，例如電機驅(qū)動、可替代能源、焊接設(shè)備和其他高工作電壓的應(yīng)用。
　　
　　VOL3120的高度比標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝的器件低30%，能節(jié)省空間，并實現(xiàn)類似電磁爐面，以及民用太陽能電池和電機驅(qū)動中的小尺寸逆變器等扁平外形的應(yīng)用。VOL3120不僅具有優(yōu)異的隔離能力，還具有當(dāng)今*的電氣性能。器件的過壓鎖定功能可保護IGBT/MOSFET，避免出現(xiàn)故障，對共模瞬態(tài)的抑制能力超過48kV/μs，能消除來自PCB上低壓區(qū)域的噪聲。
　　
　　VOL3120的工作損耗電流zui大為2.5mA，在要求高頻工作的電源應(yīng)用里是很實用的選擇。器件的典型延遲小于250ns，典型上升和下降時間為100ns，極為適合要求IGBT和MOSFET快速開關(guān)的應(yīng)用。
　　
　　今天推出的驅(qū)動器可在15V～32V電源電壓和-40℃～+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(MSL)達(dá)到J-STD-0201級，倉儲壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。