⑴IGBT 由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰
損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；
⑵柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很
大的影響，所以設計時要綜合考慮；
⑶應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt 和Uge
的峰值，達到短路保護的目的；
⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關斷過電壓，應盡量減小主電路的布線電
感，吸收電容應采用低感或無感型；
⑸IGBT 與MOSFET 都是電壓驅動，都具有一個2.5～5V 的閾值電壓，有一個
容性輸入阻抗，因此IGBT 對柵極電荷非常敏感故驅動電路必須很可靠，要保
證有一條低阻抗值的放電回路，即驅動電路與IGBT 的連線要盡量短；
⑹用內阻小的驅動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓 Uge, 有足夠陡的
前后沿，使IGBT 的開關損耗盡量小。另外，IGBT 開通后，柵極驅動源應能
提供足夠的功率，使IGBT 不退出飽和而損壞；
⑺驅動電平Uge 也必須綜合考慮。Uge 增大時， IGBT 通態壓降和開通損耗均
下降，但負載短路時的Ic 增大， IGBT 能承受短路電流的時間減小，對其安全
不利，因此在有短路過程的設備中Uge 應選得小些，一般選12～15V；
在關斷過程中，為盡快抽取PNP 管的存儲電荷，須施加一負偏壓 Uge, 但它
受IGBT 的G 、E 間zui大反向耐壓限制，一般取 1～10V；
⑻在大電感負載下， IGBT 的開關時間不能太短，以限制出di/dt 形成的尖峰
電壓，確保IGBT 的安全；
⑼由于IGBT 在電力電子設備中多用于高壓場合，故驅動電路與控制電路在電
位上應嚴格隔離；
⑽IGBT 的柵極驅動電路應盡可能簡單實用，自身帶有對IGBT 的保護功
能，有較強的抗*力。