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進軍2nm 日本也要拼先進半導體工藝：3年實用化

2021-03-09 09:25:13來源：快科技關鍵詞：半導體工藝半導體制造閱讀量：24118

導讀：在先進工藝上，目前臺積電、三星及Intel等幾家實力強大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優勢，但日本也沒有放棄先進工藝上的努力。

　　目前量產的前沿工藝是臺積電、三星的5nm，明年有望量產3nm工藝，再往后的2nm工藝需要全新的技術，制造難度更高，是大國爭搶的制高點之一。

　　在先進工藝上，目前臺積電、三星及Intel等幾家實力強大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優勢，但日本也沒有放棄先進工藝上的努力。

　　據日本媒體報道，日本產業技術綜合研究所與中國臺灣半導體研究中心(TSRI)等展開合作，開發了用于新一代半導體的新型晶體管結構。

　　相比其他技術，該技術將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場效應晶體管靠近的名為“CFET”的結構。

　　報道稱，與此前的晶體管相比，CFET結構的晶體管性能高、面積小，有助于制造2nm以下線寬的新一代半導體。

　　據悉，這一研究成果發表于2020年12月在線上舉行的半導體相關會議“IEDM2020”。該項新技術有望在今后約3年里對民營企業進行轉讓，正式開始商用。

　　(原標題：進軍2nm 日本也要拼先進半導體工藝：3年實用化)

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