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工業介質損耗試驗儀

參考價 78000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱北京智德創新儀器設備有限公司
  • 品       牌ZHIDECHUANGXIN
  • 型       號
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2023/5/10 14:56:15
  • 訪問次數351
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北京智德創新儀器設備有限公司成立十年來一直專注于電學,燃燒,力學,熱學、機械等儀器的研究與生產。服務行業包括:石油/化工、航空航天、科研院校、汽車/零部件、光伏/發電、電線電纜、電子/電器、涂料等。公司注冊資金 6000 萬,是集研發、生產、銷售為一體的高科技企業。是以中國航空航天研究院、中科院為重要依托。聯合清華大學、北京航空航天大學、北京工業大學精儀系專家作為公司技術團隊。公司總部坐落于美麗富饒的政治經濟文化交流中心—北京市,物華天寶,人杰地靈。

北京智德創新儀器設備有限公司自創建以來,一直保持著健康穩定的發展態勢,并以超過30%的年均增長速度快速持續發展,完善的客戶服務體系,確保了中航時代產品的設計*,質量穩定,供貨及時和服務周到。公司擁有一批專業從事設計、制造、安裝、調試及售后服務的員工隊伍。在工程設計和技術研發上,公司擁有部級高級工程師的專家團隊、勇于創新的中青年專業技術人員和項目人員。

企業愿景:

經營宗旨

員工滿意

客戶滿意

股東滿意

社會責任

智德創新的使命

提供質優儀器設備

服務超出客戶期望

經營理念

忠誠才有信任

敬業才有尊重

投入才有回報

主動才有創新

智德創新的價值觀

平等地尊重每一位員工

永遠都把真相告訴公眾

誠實守信是基本的準則

企業文化:

成為員工自豪的企業          

成為客戶信賴的企業

成為社會尊重的企業  



電壓擊穿試驗儀,介電常數測試儀,體積表面電阻率測定儀,塑料摩擦磨損試驗機
工業介質損耗試驗儀可直讀介電常數及介質損耗結果,免去人工計算的繁瑣。經過新升級可通過上位機軟件查看測試曲線,北京智德創新檢測儀器是代替進口設備的北京智德創新儀器產品。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。產地北京房山。
工業介質損耗試驗儀 產品信息


工業介質損耗試驗儀特點:

  1、自動簡單 接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩升、緩降,全自動測量,結果直讀,無須換算。
  2、多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線測量高壓介損
  3、抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。
  4、抗干擾能力強采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運算法與移相法結合,有效地消除強電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現場試驗。


介質損耗試驗儀和介電常數測量實驗

介電特性是電介質材料極其重要的性質。在實際應用中,電介質材料的介電系數和介質損耗是非常重要的參數。例如,制造電容器的材料要求介電系數盡量大,而介質損耗盡量小。相反地,制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數和介質損耗都盡量小。而在某些特殊情況下,則要求材料的介質損耗較大。所以,通過測定介電常數(ε)及介質損耗角正切(tgδ),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據。


一、實驗目的

1、探討介質極化與介電常數、介質損耗的關系;

2、了解高頻Q表的工作原理;

3、掌握室溫下用高頻Q表測定材料的介電常數和介質損耗角正切值。

二、實驗原理

按照物質電結構的觀點,任何物質都是由不同的電荷構成,而在電介質中存在原子、分子和離子等。當固體電介質置于電場中后會顯示出一定的極性,這個過程稱為極化。對不同的材料、溫度和頻率,各種極化過程的影響不同。

1、介電常數(ε):某一電介質(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱為該電介質材料的相對介電常數。


638168903267179002406.png


式中:Cx    —電容器兩極板充滿介質時的電容;

Cο    —電容器兩極板為真空時的電容;

ε    —電容量增加的倍數,即相對介電常數

介電常數的大小表示該介質中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料,ε要小,特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時,則要求ε要大,特別是小型電容器。

在絕緣技術中,特別是選擇絕緣材料或介質貯能材料時,都需要考慮電介質的介電常數。此外,由于介電常數取決于極化,而極化又取決于電介質的分子結構和分子運動的形式。所以,通過介電常數隨電場強度、頻率和溫度變化規律的研究,還可以推斷絕緣材料的分子結構。

2.介電損耗(tgδ):指電介質材料在外電場作用下發熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下,介質沒有周期性損耗,基本上是穩態電流造成的損耗;在交流電場作用下,介質損耗除了穩態電流損耗外,還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉向,電介質中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍),因此介質損耗通常是指交流損耗。

在工程中,常將介電損耗用介質損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例,它表示材料在一周期內熱功率損耗與貯存之比,是衡量材料損耗程度的物理量。

tg

式中:ω    —電源角頻率;

R    —并聯等效交流電阻;

C    —并聯等效交流電容器

凡是體積電阻率小的,其介電損耗就大。介質損耗對于用在高壓裝置、高頻設備,特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,介質損耗過大,不僅降低整機的性能,甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。

3、Q值:tgδ的倒數稱為品質因素,或稱Q值。Q值大,介電損失小,說明品質好。所以在選用電介質前,必須首先測定它們的ε和tgδ。而這兩者的測定是分不開的。

通常測量材料介電常數和介質損耗角正切的方法有二種:交流電橋法和Q表測量法,其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。

4、陶瓷介質損耗角正切及介電常數測試儀:它由穩壓電源、高頻信號發生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標準可調電容器等組成(圖2)。工作原理如下:高頻信導發生器的輸出信號,通過低阻抗耦合線圈將信號饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號幅度的調節是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實現。當調節定位電壓表CBl指在定位線上時,Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當Vi調節在一定數值(10mV)后,可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度,即可直接的讀出Q值,而不必計算。另外,電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是:如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號,成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達到同樣的目的。

圖1 Q表測量電路圖

經推導(1) 介電常數:


638168903267179002307.png(1)

式中:C1—標準狀態下的電容量;

C2—樣品測試的電容量;

d—試樣的厚度(cm);

Φ—試樣的直徑(cm);

(2) 介質損耗角正切:

   (2)

式中:Q1—標準狀態下的Q值;

Q2—樣品測試的Q值;

(3) Q值:

   (3)

三、實驗儀器及設備

1、儀器設備:

(1) Q表測試儀、電感箱、樣品夾具等;

(2) 千分游標卡尺;

2、樣品要求:圓形片:厚度2±0.5mm,直徑為Φ38±1mm。

四、實驗步驟

1、本儀器適用于110V/220V,50Hz交流電,使用前要檢查電壓情況,以保證測試條件的穩定。

2、開機預熱15分鐘,使儀器恢復正常狀態后才能開始測試。

3、按部件標準制備好的測試樣品,兩面用特種鉛筆或導電銀漿涂覆,使樣品兩面都各自導電,但南面之間不能導通,備用。

4、選擇適當的輔助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率,調節測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1,品質因素為Q1。

5、將被測樣品接在Cx接線柱上。

6、再調節測試電路電容器使電路諧振,這時電容為C2,可以直接讀出Q2。

7、用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數據,再取其平均值)。

五、結果處理

1、ε和tgδ測定記錄:

實驗數據按表要求填寫。

序  號

1

2

3

4

5

試樣厚度






試樣直徑






測試數據

C1






C2






Q1






Q2






計算結果

ε






tgδ






平均值

   ε =    tgδ=

















2、計算:

根據表格中測得的數據,按公式(1)、(2)分別計算各個數值。

六、注意事項

(1) 電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡,所以測定時,電壓和頻率要求穩定,電壓變動不得大于1%,頻率變動不得大于0.5%。

(2) 電極與試樣的接觸情況,對tgδ的測試結果有很大影響,因此涂銀導電層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。

(3) 試樣吸濕后,測得的tgδ值增大,影響測量精度,應當嚴格避免試樣吸潮。

(4) 在測量過程中,注意隨時電橋本體屏蔽的情況,當電橋真正達到平衡,“本體-屏蔽”開關置于任何一邊時,檢查計光帶均應最小,而無大變化。

工業介質損耗試驗儀技術參數:

項目/型號

ZJD-B

ZJD-A

ZJD-C

信號源

DDS數字合成信號

頻率范圍

10KHZ-70MHZ

10KHZ-110MHZ

100KHZ-160MHZ

信號源頻率覆蓋比

7000:1

11000:1

16000:1

采樣精度

11BIT

12BIT

信號源頻率精度

3×10-5 ±1個字,6位有效數

Q值測量范圍

1~1000自動/手動量程

Q值量程分檔

30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔

Q分辨率

4位有效數,分辨率0.1

Q測量工作誤差

<5%

電感測量范圍

1nH~8.4H,;分辨率0.1

1nH~140mH;分辨率0.1

電感測量誤差

<3%

電容直接測量范圍

1pF~2.5uF

1pF~25uF

調諧電容誤差分辨率

±1pF或<1%

主電容調節范圍

30~540pF

17~240pF

諧振點搜索

自動掃描



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